IPA65R150CFDXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:24A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:110mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，可有效减少导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定栅极控制并提升开关可靠性。基于碳化硅材料的高击穿场强与优异热导特性，器件适用于高频、高压工作环境。典型应用场景包括高效能电源转换系统、可再生能源发电中的逆变电路、以及紧凑型高功率密度电源模块，有助于提升整体系统效率并降低散热需求。
