XD040B120BV1S3_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID为60A，导通电阻RDON低至40mΩ，可实现高效、低损耗的功率转换。碳化硅材料的应用提升了器件的耐高压与高温能力，适用于高频率、高效率的电源转换系统，如光伏逆变器、储能系统及高性能开关电源。器件封装形式适配主流功率模块设计，具备良好的热稳定性与可靠性，满足复杂工况下的应用需求。
