PCDP1065GB_T0_00601_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在额定条件下正向压降（VF）低至1.38V。采用碳化硅材料，具有优异的热稳定性和极低的反向恢复电荷，支持高频开关操作。适用于高效率电力转换应用，如服务器电源、通信设备电源模块、光伏逆变系统及储能装置中的整流与续流环节。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统能效，降低温升，满足对紧凑设计与高可靠性要求较高的电子系统需求。
