GC3M0060065K_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:39A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为650V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有出色的导通性能与开关特性。器件最大漏极电流ID为39A，导通电阻RD(ON)低至60mΩ，有助于减少功率损耗，提升整体能效。碳化硅材料赋予器件优异的高温稳定性和高频响应能力，适用于高效电源转换、智能电网设备及高密度电力电子系统，为高性能电力应用提供坚实的技术支持。
