SG2M040120LH_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为60A N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），导通电阻为40mΩ，具备优异的高压与高频特性，适用于各类高效能功率转换装置。其1200V的漏源耐压能力，可支持高电压环境下的稳定运行，适合用于电源变换、新能源系统及高密度功率模块设计。采用碳化硅材料，提升了器件的导热性能与开关效率，降低了能量损耗，满足对系统效率与可靠性有较高要求的应用场景。
