SG2M040120LJ_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备良好的导通性能与高效的开关特性。其最大漏极电流ID为60A，导通电阻RD(ON)为40mΩ，有助于降低功率损耗并提升系统效率。碳化硅材料的使用增强了器件的高温稳定性和耐高压能力，适用于高频率、高效率的电力电子系统。该器件可广泛应用于新能源、储能、智能电网及相关电力电子设备中，满足多样化场景下的性能需求。
