PCDP08120G1_T0_00001_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:8A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.45V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅肖特基二极管具有8A的正向平均电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高电压阻断需求的电路环境。其正向压降（VF）典型值为1.45V，有助于减少导通损耗，提升能效。采用独立式二极管配置，便于在拓扑结构中灵活布局与热管理。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，器件具备快速恢复能力、低反向漏电流及良好的高温工作稳定性，适用于高压直流电源、高效开关转换器、光伏逆变系统及大功率储能装置中的整流与反向阻断应用。
