YJD112010PG1_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流10A，反向重复峰值电压达1200V，适用于高电压、中等电流的电力转换环境。其正向导通压降为1.39V，具备较低的导通损耗。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的高温工作性能和极短的反向恢复时间，可支持高频开关操作。适用于高压直流电源系统、可再生能源逆变装置、开关电源中的续流与整流电路，以及对能效和功率密度要求较高的电力电子模块，有助于提升系统效率并优化热管理设计。
