R8019KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:13.3A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:200mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有800V漏源电压（VDSS）和13.3A连续漏极电流（ID），导通电阻为200mΩ，支持高效能功率转换。栅源电压范围-4V至!8V，确保驱动稳定性与器件可靠性。采用碳化硅材料，具备优异的高温工作能力、高开关频率特性及低开关损耗，适用于高密度电源系统，如大功率开关电源、光伏并网逆变单元、储能装置中的直流变换模块以及高性能电力转换平台，有助于提升系统效率并优化热管理设计。
