GC3M0160120D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备18A的连续漏极电流能力，导通电阻为160mΩ，适用于高效率、高频率的电源转换系统。碳化硅材料的采用显著降低了开关损耗，提升了器件在高压高功率环境下的稳定性与可靠性。该MOSFET适合应用于高效能电源、可再生能源系统、智能电网以及高密度功率模块设计中，为复杂电力电子系统提供了高性能的解决方案。
