P3D12005E2_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:5A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备5A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、中等电流的电力转换环境。其正向导通压降（VF）为1.38V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的反向恢复性能，支持高频开关操作，可有效减少能量损耗与热生成。适用于高效电源模块、不间断电源系统、可再生能源逆变装置及高密度DC-DC转换器中的整流与防反接应用，支持在高温环境下稳定运行。
