CI60N120SM_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有40mΩ的低导通电阻（RDON），在25℃条件下可提供高达60A的连续漏极电流（ID），支持高功率密度与高效能电源系统设计。碳化硅材料赋予器件优异的高温稳定性和快速开关特性，有助于提升系统效率并减小体积。该器件适用于高频率开关电源、光伏逆变装置、高效能直流变换器以及其他高功率电子系统的设计与应用。
