S1M040120H_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品是一款1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备良好的导通特性和高频开关能力。在常温下，导通电阻（RDON）为40mΩ，可承载最大连续漏极电流（ID）为60A，适用于多种高效能电力转换系统。碳化硅材料赋予器件优异的热导率和耐高温能力，降低了开关损耗，提高了系统效率。该器件可应用于新能源发电、储能系统、高精度电源管理及高频功率变换设备中，满足对性能与可靠性有高要求的使用场景。
