PCDP1065GC_T0_00601_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，具备较高的电流承载能力与电压耐受范围。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，有效降低导通损耗，提升能量转换效率。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的开关性能和高温稳定性，可工作于高频率、高功率密度的电力环境中。适用于高效能电源转换系统，如大功率开关电源、高密度DC-DC变换模块及对热管理要求较高的紧凑型电力电子装置，有助于实现小型化与高效化的设计目标。
