PCDD08120G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.45V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复电压（VR）可达1200V，适用于高电压应用场景。其正向导通压降（VF）为1.45V，在高温与高频率工作条件下仍保持稳定的电气性能。利用碳化硅材料的优异特性，该器件具备快速开关能力、低反向恢复电荷及出色的热稳定性，可有效减少系统损耗。常用于高效能源转换装置、不间断电源、高压直流变换器及可再生能源逆变系统，有助于提升整体能效并减小散热设计负担。
