IV1Q06040T4_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:52A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为650V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有40mΩ的导通电阻，在高温和高频率工作条件下仍能保持稳定的性能表现。该器件可支持最大连续漏极电流达52A，适用于高效开关电源、光伏逆变系统、储能设备以及高频功率转换装置等应用。碳化硅材料的引入显著降低了开关损耗，提升了整体能效和系统可靠性，适合用于对空间利用率和热管理有较高要求的技术场景。
