PCDP2065G1_T0_00001_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中等电压等级的功率转换场景。其正向导通压降（VF）为1.4V，在高电流工作条件下可有效降低导通损耗。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有快速反向恢复能力，减少开关过程中的能量损耗，支持高频运行。其热导性能良好，可在较高环境温度下稳定工作，常用于高效开关电源、通信电源模块、储能系统中的整流单元以及对能效和散热有较高要求的电力电子装置。
