IV1Q06040T3_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:52A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为650V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备40mΩ的导通电阻，可承载最大连续漏极电流52A。其基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温耐受性和高频开关性能，适用于高效电源转换系统、可再生能源逆变装置、储能管理系统及高频功率变换设备。该器件在高电压和高频率应用场景中可有效降低开关损耗，提高系统整体能效与可靠性，适合对功率密度和热管理有较高要求的技术方案。
