SG2M040120JH_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:87.5A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:39mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有出色的导通和开关特性。器件最大漏极电流ID可达87.5A，导通电阻RD(ON)低至39mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。碳化硅材料赋予器件优异的耐高压与高温性能，适合高功率密度和高频开关应用。该MOSFET可广泛应用于新能源发电、储能系统、智能电力调控及相关高效能电子设备中，满足对性能与可靠性要求较高的场景需求。
