YJD212080NCTG1_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备出色的导通性能与高温稳定性。其最大漏极电流ID为36A，导通电阻RDON低至80毫欧，有助于降低功率损耗，提升系统效率。碳化硅材料赋予器件优异的热导率和高击穿电场强度，适合应用于高频率、高功率密度的电力电子系统。该器件可广泛用于高效电源转换、智能电力调控以及新能源相关设备，满足对性能与可靠性有较高要求的电路设计需求。
