BCZ120N32W1_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:63A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备低导通电阻特性，典型值为32mΩ，可支持高达63A的连续漏极电流。采用宽禁带半导体材料，具备优异的热稳定性和开关性能，适用于高效率、高频电源转换系统。可广泛应用于能源、通信、智能电网等领域中的功率因数校正、直流-直流转换及逆变系统，满足高电压、高频率工况下的可靠运行需求。
