KXMW120R40T3_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:63A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备63A漏极电流承载能力，导通电阻低至32mΩ，展现出优异的导通性能与开关特性。采用碳化硅半导体材料，有效提升器件在高频率与高温度环境下的工作稳定性，降低能量损耗。适用于高效率电源变换装置、高性能电机控制电路及高密度功率电子系统的开发与设计。
