PCDB10120G1_R2_00001_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降为1.39V，具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性，器件耐高温、耐高压，反向恢复时间极短，适用于高频、高效率的功率转换场合。其优异的开关性能可减少能量损耗，提升系统热稳定性。典型应用包括高功率密度电源适配器、不间断电源系统、光伏逆变模块以及对能效和可靠性要求较高的电力电子变换装置。
