IV1Q12160T3_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用先进碳化硅材料工艺，具备优异的导热性与耐高温性能。在导通状态下，其漏极电流ID可达18A，导通电阻RDON低至160mΩ，有助于降低功率损耗并提升系统效率。该器件适用于高频率、高效率的电力转换场景，如电源适配器、充电设备及智能电网相关电路，为复杂工况下的稳定运行提供保障。
