S1M040120D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:63A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高电流承载能力和优异的导通性能。其最大漏极电流ID可达63A，漏源击穿电压VDSS为1200V，导通电阻RDON低至32mΩ，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。碳化硅半导体材料赋予器件良好的热稳定性和高频工作能力，适用于高性能电源转换设备，如高效能电源供应器、储能系统以及对能效与可靠性有较高要求的高密度电子系统。
