MSC025SMA120B_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:25mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的电气性能和稳定的工作表现。最大漏极电流（ID）为80A，导通电阻（RDON）为25mΩ，能够在高频率工作条件下有效降低导通损耗，提升系统能效。碳化硅材料的引入增强了器件的耐压能力与热稳定性，适用于多种高效电力转换场景。该器件可广泛应用于高性能电源、储能系统及精密电子设备中的功率管理单元，为复杂电路设计提供高效、可靠的技术支持。
