P3D12010T2_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），在高电压环境下表现出优异的耐压能力。其正向导通压降（VF）低至1.39V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频开关操作，反向恢复特性优异，可有效减少开关过程中的能量损耗与发热。适用于高功率密度电源转换装置，如高效开关电源、不间断电源系统及可再生能源逆变设备，能够在高温和高电压应力条件下稳定运行，提升电路的可靠性和效率。
