PCDD10120G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、中等电流的电力电子电路。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，显著低于传统硅器件，有助于减少导通损耗，提高能量转换效率。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有出色的高温稳定性和快速开关能力，反向恢复特性优异。主要应用于高效开关电源、不间断电源系统、可再生能源发电逆变器及高密度功率模块中，适合对能效和热管理有严格要求的电路设计。
