SG2M023120LJ_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:110.4A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:26mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为110.4A 1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），导通电阻低至26mΩ，具备优异的高压与大电流承载能力。其高耐压特性支持在复杂电压环境下稳定运行，适用于高效电源转换、新能源设备及高性能功率系统的设计。采用碳化硅材料，提升了器件的热稳定性和开关性能，有效降低能量损耗，提高系统整体效率。该器件适合对功率密度和可靠性有较高要求的多样化应用场景。
