IV1Q12160T4_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:19A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品是一款1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备19A的额定漏极电流能力和160mΩ的导通电阻。基于碳化硅材料的特性，该器件具有良好的耐高温性能和快速开关响应能力，适用于高效率、高频率的电力电子系统。可应用于能源转换、智能电网、通信设备等领域的功率因数校正、DC-DC变换及逆变系统，支持复杂工况下的稳定运行。
