P3D12010G2_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，正向压降（VF）为1.39V。得益于碳化硅材料的高热导率和宽禁带特性，器件具备优异的高温工作能力、极低的反向漏电流及快速开关特性。适用于高电压、高效率的电力转换系统，如高压电源模块、可再生能源逆变装置、服务器级电源供应器以及高密度DC-AC转换电路。其低导通损耗与快速恢复性能有助于减少系统热耗散，提升整体能效和运行稳定性，适合对功率密度和可靠性要求较高的应用场景。
