MDDG2C120R016K3_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:16mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备1200V的漏源耐压（VDSS）与120A的连续漏极电流能力（ID），导通电阻（RDON）低至16mΩ，显著降低导通损耗并提升系统效率。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的高温稳定性和高频工作能力，适用于高效能电源转换、新能源发电系统、智能电网设备等高要求场景，助力实现更高功率密度与更优热管理性能。
