HCD65R320-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源耐压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至260mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了可靠的栅极驱动控制。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的开关性能和热稳定性，可工作在较高结温环境下。典型应用包括高效开关电源、DC-DC转换器、太阳能逆变系统及高密度电源模块，适用于对功率密度和能效有较高要求的电力电子设备。
