CI02S120E3_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备2A的正向电流（IF）和高达1200V的反向重复峰值电压（VR），适用于高效率电源转换场景。其正向压降（VF）为1.36V，在高频开关条件下仍能保持较低的导通损耗和优异的热稳定性。器件利用碳化硅材料特性，显著提升开关速度并降低反向恢复电荷，有助于减小系统级散热需求与被动元件体积。典型应用包括高效能电源适配器、开关模式电源及高密度DC-DC转换模块等对功率密度和能效要求较高的电路设计。
