WSJM65R260XQ-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源击穿电压，连续漏极电流达15A，导通电阻典型值为260mΩ，在高温与高频工作环境下仍能保持优异的导电性能。栅源电压范围为-5V至!6V，确保了器件的稳定驱动与可靠关断。采用宽禁带半导体材料，显著降低开关损耗，提升系统整体能效。适用于高功率密度电源转换装置，如高效开关电源、太阳能逆变系统及高压直流变换模块，可有效提升系统效率并减小散热设计负担。
