IV1D06004F5_DFN8X8_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:4A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）典型值为1.4V。采用碳化硅材料，具有优异的高频开关特性与高温稳定性，反向恢复电荷极低，可显著降低开关损耗。适用于高效率的电源转换系统，如大功率开关电源、不间断电源模块、可再生能源逆变装置以及高密度直流-交流转换电路。其低导通损耗与快速恢复能力有助于提升系统能效，优化热管理设计，满足对可靠性和功率密度要求较高的应用场景。
