HCS65R320S-FM-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围-5V至!6V，支持稳定驱动与过压保护。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关性能和高温工作能力。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、光伏逆变单元、储能系统中的DC-DC变换器以及高性能电机驱动电路，有助于提升系统能效与功率密度，满足紧凑型高功率应用需求。
