STD11N65M5-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:6.8A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:460mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至460mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至!8V，具备良好的开关特性和热稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件在高频、高压工作环境下仍能保持较低的开关损耗与导通损耗，适合用于电源适配器、光伏逆变系统及高效能直流变换模块等应用场合，可提升整体系统能效并减小散热设计负担。
