KS06065-B_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为6A，反向重复峰值电压达650V，适用于中等功率的高压应用。其正向导通压降为1.36V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性，该器件具有优异的热稳定性和快速的反向恢复能力，支持高频开关操作。典型应用包括高效率开关电源、通信电源模块、可再生能源逆变系统以及高密度DC-DC转换器等，适用于对散热性能和转换效率有较高要求的电力电子电路设计。
