HXY20N50F_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:500V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:30V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备500V漏源击穿电压（VDSS）和30V栅源电压容限（VGS），连续漏极电流（ID）可达20A，导通电阻（RDON）为260mΩ。器件适用于高电压开关应用，如开关模式电源、逆变器电路、高压直流负载的功率控制以及电能转换装置。较高的电压耐受能力使其适合用于主电源侧的开关设计，支持高效能电能管理。其参数特性可满足对电压安全裕量和稳定导通性能有要求的电子设备，适用于需要高耐压与适度电流承载能力的功率开关场景。
