STF16N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至260mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-5V至!6V，确保栅极驱动的稳定性与安全性。依托碳化硅材料的高临界电场和热导率优势，该器件支持高频开关操作，具备出色的热稳定性和耐压能力，适用于高功率密度电源转换装置，如高效开关电源、高压直流变换器及可再生能源发电系统的逆变单元。
