IPA60R280P7SXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源电压（VDSS）与20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至160mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频、高效率的功率转换设计。典型应用包括大功率开关电源、可再生能源发电中的直流变换装置、储能系统的功率调节模块以及高密度电源适配与能量管理设备。
