STD10N60DM2-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:6.8A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:460mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至460mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至!8V，具备良好的开关特性与热稳定性。器件利用碳化硅材料优势，支持高频工作，降低开关损耗，适用于高密度电源系统，如高效能适配器、服务器电源模块及可再生能源逆变装置，能够在严苛环境下保持稳定性能。
