B1D06065F_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.36V，可有效减少导通损耗，提升系统能效。其基于碳化硅材料的特性，支持高频开关操作，反向恢复特性优异，有助于减小外围元件尺寸并优化热管理设计。该器件适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及高可靠性能源模块，能够满足对散热性能和长期稳定性要求较高的电路需求，是提升整体系统效率的关键元件。
