ASD665A_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力转换场合。其正向压降（VF）为1.36V，相较于传统硅器件具有更低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的开关性能和高温工作能力，可有效减少能量损耗并缩小被动元件体积。典型应用涵盖高效开关电源、光伏逆变单元、服务器电源模块及高密度DC-DC转换器，适用于对能效、功率密度和热管理有较高要求的电力电子系统设计。
