BCH65S06D3_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）低至1.36V。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关特性与高温工作能力，反向恢复电荷极小，可显著减少开关过程中的能量损耗。其高耐压与较低导通损耗的结合，适用于高效率要求的电力电子变换装置，如大功率开关电源、不间断电源系统、光伏逆变单元及高密度电源适配器等场景，有助于提升系统能效与功率密度，同时降低热管理设计压力，保障长时间稳定运行。
