YJD106506PQG2_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压直流电路中的整流与续流应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.36V，结合碳化硅材料固有的低反向恢复电荷特性，可有效降低导通与开关损耗。器件具备优异的高温工作性能和热导稳定性，适合用于高效率开关电源、光伏逆变装置、通信电源模块及高功率密度DC-DC变换器中，满足对系统能效、功率密度及长期可靠性要求较高的电力电子设计需求。
