FG3S06506C_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为6A，反向重复峰值电压达650V，适用于中高电压电力转换应用。其正向导通压降为1.36V，有效降低导通损耗，提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率和高击穿电场特性，该器件具备快速恢复能力与良好的高温工作稳定性，支持高频开关操作。典型应用场景包括高效AC-DC与DC-DC电源模块、可再生能源发电中的逆变电路、高功率密度适配器及不间断电源系统，适合对转换效率和热管理性能要求较高的电力电子设计。
