SP52N120CTK_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:63A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备低导通电阻与高电流承载能力。其最大漏极电流ID为63A，导通电阻RD(ON)仅为32mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。碳化硅材料带来优异的高温耐受性与高频工作稳定性，适用于高效能电源转换装置、新能源发电设备及高密度电力电子模块，满足高性能、高可靠性电力应用场景的技术需求。
