GC3M0032120D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:63A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品是一款1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有良好的导电性能与耐压能力。其额定漏极电流为63A，导通电阻典型值为32mΩ，有助于降低功率损耗并提升整体效率。碳化硅材料赋予器件优异的热导率和高击穿电场强度，支持其在高温、高压环境下稳定工作。该MOSFET适用于高效能电源转换、光伏逆变系统及高频电力电子设备，满足对性能与可靠性有较高要求的应用场景。
